Precisionskortet med åtta lager på 5G optiska modulbärarkort är kärnbärarkomponenten för att realisera optoelektronisk signalomvandling och höghastighetsstabil överföring av 5G optiska moduler, speciellt anpassade och utvecklade för högfrekventa och höghastighetskommunikationsscenarier.
Kärnstrukturdesign
Genom att anta en symmetrisk staplad arkitektur är den typiska lösningen "signallager jordplanssignallager kraftlager kärnlager kraftlager signallager jordplan".
Det inre jordplanet och kraftskiktet bildar en Faraday-burstruktur, som kan minska signalförlusten i 10GHz-frekvensbandet med 40 %.
Det oberoende kraftlagret, i kombination med ett frånkopplingsnätverk, kan kontrollera strömbrus inom ± 5mV och uppfylla strömförsörjningskraven för högdensitetschips.
Viktigt materialval
Substrat med låg dielektrisk förlust är att föredra för högfrekvensscenarier, såsom Rogers RO4350B, med Df mindre än eller lika med 0,002 vid 10GHz.
Parat med HVLP kopparfolie med ultralåg strävhet (ytråhet Mindre än eller lika med 1 μm), kan hudeffektförlusten minskas med 30 %.
Hög värmebeständig halvhärdad plåt med Tg större än eller lika med 170 grader säkerställer mellanskiktsstabilitet i extrema miljöer från -55 grader till 150 grader.
Kärnprecisionsprocesskrav
Avvikelsen mellan skiktets inriktning kontrolleras strikt inom ± 25 μm, och konduktiviteten för det blinda begravda hålet är större än eller lika med 99,99 %.
Toleransen för 50 Ω enkelsidig och 100 Ω differentialimpedans kontrolleras inom ± 3 % till ± 5 %, vilket är mycket strängare än ± 10 % standarden för vanliga kretskort.
Minsta linjebredd/avstånd kan nå 2,5 mil, minimidiametern på blinda laserhål är 0,08 mm och minsta diameter för nedgrävda hål är 0,1 mm.
Trestegs uppvärmnings- och pressningsprocessen kontrollerar mellanskiktets bubbelhastighet under 0,01 % och uppnår en fläkhållfasthet på 1,8N/mm.
Kärnprestandafördelar
Sändningsförlusten för högfrekventa signaler över 10GHz är mindre än eller lika med 3dB/cm, och felfrekvensen för 25G optiska moduler kan vara så låg som 10 ⁻¹ ² efter installation.
Den värmeledande via-matrisen, i kombination med koppartjockleksdifferentieringsdesign, kan minska chipövergångstemperaturen med 18 grader, vilket gör den lämplig för kontinuerlig drift med hög belastning.
Utmärkt elektromagnetisk skärmningsförmåga, signalöverhörning kan kontrolleras under -25dB vid 10 Gbps hastighet.
Vanliga tillämpningsscenarier
5G-basstation framåt/bakåt optisk modul, som stöder interaktion med låg latens av massiv data.
Den optiska höghastighetsmodulen 400G/800G i datacentret möjliggör effektiv sammankoppling av serverkluster.
Optisk kommunikationsterminalutrustning i tuffa miljöer som industriellt Internet och intelligenta transporter.